双结非晶硅太阳电池芯片系列 非晶硅太阳能电池组件在标准测试条件(STC)下,其系列额定功率稳定值为:40W,可以加工封装成组件,切割不同规格尺寸的产品有不同的电性能。**小尺寸可达30 mm×30 mm×3mm,用户可根据需求独立加工各类规格的电池片。我们提供太阳能电池基片和相应的辅助材料。加工工艺技术方法。 双结非晶硅太阳电池芯片的参数(基片)在标准测量条件(STC)下,双结非晶硅太阳电池芯片参数如下: 型号 Pm(W) Voc (V) Isc(A) Vm(V) Im(A) 尺寸(mm) 重量(kg) GR40 40 60 1.0 45.0 0.8-0.9 635×1245×3 5.7 双结非晶硅太阳电池芯片切割 贴PVA膜—切割—电化学处理—初级测试--焊接电极—电物理处理—终测—焊点保护包装等9道工序。引线确保了电池活性薄膜与外界隔离。由于PVA膜在电池的背面保护,严格的多道测试工序使产品的质量得到可靠保证。 双结非晶硅电池组件的优势 由于非晶硅太阳电池独特的光谱响应特性,使其呈现出在低光强下有更好的转换效率,更增加了电池的发电量。因此,购买相同瓦数的三种太阳电池,用户实际得到的电量以非晶硅太阳电池**多,同时所投入的资金**少 |
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