井式真空坩埚炉煅烧真空或惰性气体的高纯度化合物 退火或扩散半导体晶片多达6“直径
以进口含钼电阻丝或者硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,具有真空装置,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
井式坩埚炉的主要用途:高校、科研院所、工矿企业主要用于煅烧真空或惰性气体中的高纯度化合物,退火或扩散半导体晶片,也可以用于烘烧或烧结陶瓷材料等。
集控制系统与炉膛一体,其中炉膛保温材料采用整体真空吸附成型,程控镶嵌进口电阻丝。超大口径的石英炉腔和真空密封法兰系统,可在流动气氛和真空状态下快速加热样品。
主要用于金属、非金属及化合物材料进行烧结、融化、分析。控制面板配有智能温度调节仪,控制电源开关、主加热工作/停止按钮,以便随时观察。
井式坩埚炉的特点如下:
1、高品质惨钼铁铬铝合金作为发热元件,可加热到1200℃ 高纯石英杯:205外径x 190内径x 340高mm
2、高精度不锈钢针阀和真空表及真空法兰可直接使用。
3、内置30段可编程精密数字温度控制器可控制升降温速率。
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