半导体场效应晶体管IV特性测试实验平台认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流 I-V 测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础,通常使用 I-V 特性分析或 I-V 曲线来决定器件的基本参数。
分立器件 I-V 特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本 I-V 特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用,如金属互连,镀层阶段,芯片封装后的测试等。
普赛斯仪表 开发的半导体场效应晶体管IV特性测试实验平台,由一台或两台源精密源测量单元( SMU )、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口 MOSFET 器件为例,配套以下设备:
两台 S 型数字源表
四根三同轴电缆
夹具或带有三同轴接口的探针台
三同轴 T 型头
需要测试的参数:
输出特性曲线
转移特性曲线
跨导 gm
击穿电压 BVDS
需要仪器列表:
SMU 源表
探针台或夹具
普赛斯上位机软件
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