数字源表搭建集成电路教学测试平台认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。
本科生 集成电路实验平台实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。
本科生集成电路实验平台实验目录
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验
本科生集成电路实验平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业权威，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求
本科生集成电路实验平台基本功能
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实验名称 |
测试参数 |
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金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管特性的 IV 特性测试实验 |
l 输出特性曲线 l 转移特性曲线 l 跨导 gm l 击穿电压 BVDS l |
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四探针法测量半导体电阻率测试实验
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l 四探针法电阻率ρ l 材料阻值 R |
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MOS 电容的 CV 特性测试实验（低频 + 高频） |
l CV 特性曲线 |
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半导体霍尔效应测试实验 |
l 霍尔电压 VH l 霍尔电阻率ρ l 霍尔系数 RH l 载流子浓度 n l 霍尔迁移率 u |
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激光二极管 LD 的 LIV 特性测试
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l LIV 特性曲线 l 阈值电流 Ith l 阈值电流对应电压值 Vth l 拐点 Kink l 线性电阻 Rs |
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太阳能电池的特性表征
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l 开路电压 Voc l 短路电流 Isc l 功率大值 Pmax l 填充因子 FF l 转换效率η l 串联电阻 Rs l 旁路电阻 Rsh |
本科生集成电路实验平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表四表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求
交流测试使用LCR表
探针台：4寸或6寸手动探针台
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