核心性能;高使用温度;在氧化气氛下长期稳定在工作温度达1700-1800℃,短期可耐受1900℃(超限时保护性SIO2膜熔融,冷却后可再生)
自保护机制;400℃以上氧化环境中,表面生成致密失灵玻璃膜,隔绝氧气防止内部氧化;但需避免400-700℃低温区间(易生成疏松氧化层导致分化失效)
电阻特性;电阻率随温度升高显著增加(20℃时约21.5X10-6Ω.cm),温度恒定后电阻稳定;新旧元件课混合使用,老化率低。
热效率高;辐射系数达0.7-0.8(800-2000℃)热能转化效率优异。
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