中频磁控溅射
镀膜技术是磁控技术另一新里程碑,作为目前国内外**新的中频孪生靶磁控溅射反应技术,在近几年得到了迅猛的发展,除了在制备
金属膜时具有较高的稳定性外,在沉积氮化物、氧化物等介质膜时,解决了过去直流磁控溅射中弧光放电和阳极消失等问题,并具溅射速率快等优点,它能够在长时间内获得较高的沉积速率和维持稳定的镀膜状态。一种中频反应磁控溅射设备二氧化硅膜设备,包括
真空镀膜室、双靶、反应气体供气管道、工作气体供气管道、中频
电源、压电阀控制器和压电阀,双靶装在屏蔽罩内,真空镀膜室内的反应气体供气管道位于双靶的对称中心线上,中频电源的两个输出端各接到一个靶上,中频电源的控制线压电阀控制器,压电阀和反应气体供气管道构成闭环控制回路。本实用新型提供了一种能使靶面处于过渡状态,既能保证膜层的成分,又具有足够高的沉积速率,实现闭环控制的中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备。适合镀制铟
锡合金(ITO)、氧化铝(AL203)、二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(Si3N4)等,配置多个靶及膜厚仪可镀制多层膜。