爆裂噪声是电流型噪声,在电阻电路中其影响更大。通过改善半导体制作工艺,可使半导体材料的纯度提高,杂质含量减少,从而使爆裂噪声得以改善。目前,只有在半异体器件的少数样品中可以发现爆裂噪声,通过对器件的挑选能够避免产生爆裂噪声。
分配噪声:
在双极型晶体管中,从发射区注入基区的载流子大部分会在放大区扩散进入集电区,形成集电电极电流,而小部分会在基区复合,形成基极电流。这种载流子在基区的复合也是随机的,因而会引起基极和集电极电流的随机波动,这种由于基区复合过程的随机性而引起电流IB和IC分配比例的随机变化所产生的噪声称为分配噪声。由于基本区复合与工作频率有关,故分配噪声也与频率有关。工作频率越高,分配噪声越大。因此,它是双极型晶体管工作在高频时的主要噪声。
主要特性:
>>国际标准二路信号输入:0-5V/0-10V/1-5V,0-10mA/0-20mA/4-20mA等
>>标准DIN35 导轨式安装(尺寸:106.7x79.0x25.0mm)
>>精度等级:0.1级、0.2级、0.5级。产品出厂前已检验校正,用户可以直接使用
>>二路输出标准信号:0-5V/0-10V/1-5V,0-10mA/0-20mA/4-20mA等,具有高负载能力
>>全量程范围内极高的线性度(非线性度<0.2%)
>>辅助电源:5V/12V/15V/24VDC(范围±10%)
>>具有较强的抗电磁干扰和高频信号干扰能力
产品选型表:
DIN22-IRT - U(A)□ - P□ - O□
输入信号 |
供电电源 |
输出信号 |
|||||||
电压 |
代码 |
电流 |
代码 |
Power |
代码 |
电流 |
代码 |
电压 |
代码 |
0-5V |
U1 |
0-1mA |
A1 |
24VDC |
P1 |
0-20ma |
O2 |
0~5V |
O4 |
0-10V |
U2 |
0-10mA |
A2 |
12VDC |
P2 |
4-20ma |
O1 |
0-10V |
O5 |
0-75mV |
U3 |
0-20ma |
A3 |
5VDC |
P3 |
用户自定义 |
Oz |
1-5V |
O6 |
0-2.5V |
U4 |
4-20mA |
A4 |
15VDC |
P4 |
|
|
|
|
用户自定义 |
Uz |
用户自定义 |
Az |
|
|
|
|
|
|
选型举例:
例1:输入信号:0-10V 供电电源:24V 输出两路信号:4-20ma 型号:DIN22-IRT-U2-P1-O1
例2:输入信号:0-10V 供电电源:12V 输出两路信号:0-10V 型号:DIN22-IRT-U2-P2-O5
应用:
>>信号长线无失真传输
>>模拟信号数据隔离、采集和变换
>>变频器信号隔离采集
>>隔离4-20mA或0-20mA信号传输
>>电力监控、医疗设备隔离
>>PLC/FA 电机信号隔离控制
>>工业现场信号隔离及变换
>>仪器仪表信号收发
>>非电量信号变送
通用参数
参数名称 |
测试条件 |
**小 |
典型值 |
**大 |
单位 |
隔离耐压 |
50Hz,1分钟,漏电流1mA |
|
2500 |
|
VDC |
耐冲击电压 |
3KV, 1.2/50us(峰值) |
||||
工作温度 |
|
-25 |
|
+70 |
℃ |
工作湿度 |
无凝露 |
10 |
|
90 |
% |
存储温度 |
|
-45 |
|
+80 |
℃ |
存储湿度 |
|
10 |
|
95 |
℃ |
产品**大**额定值:
Storage Temperature (存贮温度):+150℃
Continuous Isolation Voltage(持续隔离电压):3000VDC
电源电压范围:±10%Vin
Junction Temperature(工作温度):+85℃
Lead Temperature (焊接温度):+300℃(10秒)
注意:如果超出上述范围,产品可能会引起**性损坏。
噪声系数和噪声因数:
在任何电路中都有很多噪声源同时在起作用,如电路中的电阻和其它元件的电阻分量都在产生热噪声,半导体器件在产生散弹噪声,有导体相互接触的地方在产生I/F噪声,半导体器件还有可能产生爆裂噪声。从设计和调试的角度出发,人们更关心的是整体电路的噪声特性,而不是各个独立的噪声源特性。这就是要定义一些整体电路的噪声特性指标,以便衡量电路噪声特性的优劣,并进行不同电路的性能对比,以及利用这些指标对电路进行改进和优化。噪声系数和噪声因数就是这样的指标。
噪声系数:
双极型晶体管、场效应管、集成运算放大器都有固有的内部噪声源。当衡量一个有源器件的噪声特性时,人们更为关注信号被放大和传递过程中信噪比的变化情况,为此引入噪声系数这一重要指,以衡量有源器件的噪声特性的优劣。
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