亿光光耦EL3032包含一个砷化镓红外发光二极管光学耦合到单片硅零电压交叉相片可控硅。它们在逻辑系统的接口与分立功率双向可控硅使用而设计的设备从供电110至380交流电压线，如固态继电器，工业控制，电机，电磁铁和家电消费。具有输入与输出之间的高隔离电压(维索=5000
V有效值)，零电压穿越，无铅和RoHS标准等优势，在电磁阀/阀门控制，灯光控制，静态开关电源，交流电机驱动器，E.M.接触，温度控制，交流电机起动器等得到广泛的应用。
亿光光耦EL3032尺寸：
亿光光耦EL3032参数：
| 参数 | 符号 | 等级 | 单位 | ||
| 输入 | 正向电流 | IF | 60 | mA | |
| 反向电压 | VR | 6 | V | ||
| 功耗 | PD | 100 | mW | ||
| （以上大=85°C）降额系数 | 3.8 | mW/℃ | |||
| 产量 | 断态输出端子电压 | EL303X | VDRM | 250 | V |
| EL304X | 400 | ||||
| EL306X | 600 | ||||
| EL308X | 800 | ||||
| 峰值重复浪涌电流 | ITSM | 1 | A | ||
| （PW=1毫秒，120pps） | |||||
| 状态均方根电流 | IT(RMS) | 100 | mA | ||
| 功耗 | PC | 300 | mW | ||
| （以上大=85°C）降额系数 | 7.6 | mW/℃ | |||
| 总功耗 | PTOT | 330 | mW | ||
| 隔离电压 | VISO | 5000 | Vrms | ||
| 工作温度 | TOPR | -55 to 100 | ℃ | ||
| 储存温度 | TSTG | -55 to 125 | ℃ | ||
| 焊接温度 | TSOL | 260 | ℃ | ||
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