一、设备用途和功能特点：

    1、该设备是一种多功能磁控溅射镀膜设备，适用于镀制各种单层膜、多层膜及搀杂膜系。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜。

    2、为避免微粒物资落到基片上，采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构，即由下向上溅射。3、为满足镀制搀杂膜的要求，采用多靶向心溅射的方式。

    4、可以采用单靶独立、双靶、三靶任意轮流或组合共溅工作模式，射频直流兼容。

    5、所有靶面均可以沿轴向位移，与真空室轴夹角70?，**大位移量±50mm，可变角度±15?。所有靶上都带有电动档板，以防止靶面在未工作时被污染。这一功能为寻找**佳实验参数提供了强有力的实验手段。

    6、为了保证镀膜的工艺性（预溅射、多层膜、搀杂膜、防止交叉污染和干扰等），每只磁控溅射靶均配备磁力耦合电动挡板（配装电机），可在操作面板上电动控制靶挡板的开关。

    7、基片加热器采用高纯石墨加热器，可以避免加热元件放气或挥发对基片和真空室的污染，加热器的可靠性高，寿命长。

    8、由于采用了超高真空密封技术，极限真空度高，可达2×10-5Pa，可保证更高的镀膜纯净度，提高镀膜质量。

    恢复工作真空时间短，从大气到工作真空（7×10-4Pa）时间30～40分钟（充干燥氮气）

    运动部件的密封，采用磁力耦合动密封技术。

    真空规用金属规（不用玻璃规），密封口用刀口金属密封结构。

    二、性能参数：

    磁控溅射室可镀**大有效尺寸≦Φ50㎜衬底一片，基片加热温度：室温～1000℃，旋转速度1～20转/分。靶轴与真空室轴夹角70?靶面到衬底距离±50mm在线可调，偏摆可调±15°。极限真空：2×10-6Pa、恢复真空7×10-4Pa：30～40分钟（充干燥氮气）。

    三、工作条件：

    供电：～380V，冷却水循环量1m3/H，工作环境温度10℃～40℃。