1.设备用途：该设备是一种超高真空多靶磁控溅射沉积镀膜实验平台，用磁控溅射的方法制备孤立分散的量子点和纳米晶颗粒等薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金属薄膜。该设备可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜，完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连，可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗，并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

      2. 靶、基片及加热材料

      该平台可以采用单靶独立工作或四只靶轮流工作、任意两靶组合共溅、三靶组合共溅等工作模式，向心溅射，射频直流兼容。

      所有靶面均可以沿轴向电动位移，所有靶上都带有电动档板，以防止靶面在未工作时被污染。

      3. 基片有效镀膜直经：可达4吋，整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤5﹪，基片架采用框式结构，样品交接容易，基片架不变形，镀膜时基片转动，旋转速度5～60转/分可调，镀膜均匀。基片有挡板，防止污染。样品加热温度：常温～1000○C可调, 常温～1400○C可调, 常温～1700○C可调。

      该设备配有基片挡板，以防止束源未稳定工作时污染基片。样品架在镀膜时旋转，基片上薄膜生长均匀，其整个基片上的薄膜厚度不均匀度≤3﹪。

      4、真空参数

      磁控溅射室极限真空：2×10-6Pa。可镀直径4英寸基片一片,.恢复真空：从大气到7×10-4Pa ≦30min（新平台充干燥氮气）。平台总体漏率：关机12小时真空度≤1Pa。

      真空室材质不锈钢，表面玻璃丸喷砂处理，并电抛光处理。

      进样室极限真空：5×10-5Pa，恢复真空：从大气到7×10-4Pa ≦30min（新平台充干燥氮气）。平台总体漏率：关机12小时真空度≤1Pa,4位样品库。

      整个平台真空腔体除进样室前开门采用氟胶圈密封外其余密封全部采用金属密封技术，所有电极引线全部采用金属—陶瓷封接件，基片升降机构采用金属焊接波纹管，基片旋转采用磁力耦合技术，进样室预留清洗部位。

      5.运动传递机构

      基片传递采用磁力耦合直线传递杆，样品交接采用磁力耦合托盘。

      该平台配有进样室，以避免样品进出镀膜室时镀膜室暴露大气，同时在进样室中可对样品进行高温除气以及对样品表面进行等离子清洗。

      6.控制系统

      平台主体部分的真空系统开关、基片交接、上盖升降、样品选择、安全互锁及保护等均运行在镶嵌于控制柜的监控系统控制之下，平台的自动化、智能化程度高，可靠性及稳定性高，显示界面美观，易于操作。