1、基片尺寸:≥110×110mm,基片加挡板。
2、基片台:基片台旋转,转速0-25rpm连续可调,光控定位;
衬底加热:采用真空**加热器,室温~1500℃可调可控;
反溅清洗;采用射频电源对基片表面进行“清洗/活化”;
3、基片架转速0~25转/分,可控可调。
4、基片架可加热、可旋转、可升降。
5、靶面到基片距离60~90mm可调。
6、Ф3英寸圆形平面磁控溅射永磁靶;可镀铁磁材料的磁控溅射靶1支,可镀普通靶材的磁控溅射靶1支;靶材尺寸Ф3英寸。
7、镀膜室极限真空:≤5×10-5Pa,抽至 10-4Pa≤20min;。
8、速率和膜厚监控:石英晶振膜厚仪,在线监测蒸发速率,监控膜厚;厚度监测范围:1?~99999?,分辨率1?;速率监测范围:0.1?~99.9?
/s,分辨率0.1?;
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